ISTITUTO SUPERCONDUTTORI, MATERIALI INNOVATIVI E DISPOSITIVI, posti di ricercatori

Dottorato di ricerca
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a) Diploma di Istruzione secondaria di II grado (diploma di maturita ), in Informatica e Telecomunicazioni o discipline affini e coerenti con la tematica del bando rilasciato da struttura scolastica italiana. In caso di titolo di studio conseguito presso istituzione scolastica estera, detto titolo sara considerato valido se dichiarato equipollente da un provveditore agli studi oppure se riconosciuto automaticamente equipollente, in base agli accordi internazionali, al titolo di studio prescritto nel presente bando, ovvero se riconosciuto equipollente, ai sensi dell'art. 38 del decreto legislativo 30 legislativo 30 marzo 2001, n. I 65, ai fini della partecipazione ai concorsi banditi da amministrazioni pubbliche. Il candidato che non sia ancora in possesso del provvedimento di riconoscimento del titolo di studio estero dovra dichiarare nella domanda di partecipazione di aver presentato la relativa richiesta. In tal caso il candidato sara ammesso alla selezione con riserva, fermo restando che tale provvedimento dovra essere presentato prima della stipula del contratto di lavoro;
b) Comprovata esperienza tecnica di laboratorio
c) conoscenza della lingua inglese.
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a) Laurea in Fisica, o in Chimica, o in Ingegneria dei Materiali, o in Scienze dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente alla riforma di cui al D.M. 3 novembre 1999n. 509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
oppure
Laurea specialistica in 20/S Fisica, o in 62/S Chimica, o in 61/S Ingegneria dei Materiali, o in 61/S Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 3 novembre 1999 n.509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
oppure
Laurea magistrale LM-17 Fisica, o in LM-54 Chimica, o in LM-53 Ingegneria dei Materiali, o in LM-53 Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 22 ottobre 2004 n. 270 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica
b) comprovata esperienza almeno triennale nella modellizzazione e computazione di materiali avanzati mediante tecniche a principi primi; ovvero possesso del titolo di Dottore di Ricerca o PhD attinente all’esperienza richiesta; Saranno considerati come elementi premianti esperienza pregresse nello studio di: (a) fasi ordinate (multiferroiche) o topologiche della materia, (b) film, interfacce e sistemi a bassa dimensionalita e/o (c) sistemi caratterizzati da un forte accoppiamento tra gradi di liberta di spin, orbitali, e del reticolo.
c) conoscenza della lingua inglese.
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a) Laurea in Fisica, o in Ingegneria Elettronica, o in Ingegneria dei Materiali, o in Ingegneria Fisica, o in Scienze dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente alla riforma di cui al D.M. 3 novembre 1999n. 509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
oppure
Laurea specialistica in 20/S Fisica, o in 32/S Ingegneria Elettronica, o in 61/S Ingegneria dei Materiali, o in 20/S 50/S Ingegneria Fisica, o in 61/S Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 3
novembre 1999 n.509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
oppure
Laurea magistrale LM-17 Fisica, o in LM-29 Ingegneria Elettronica, o in LM-53 Ingegneria dei Materiali, o in LM-17 LM44 Ingegneria Fisica, o in LM-53 Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 22 ottobre 2004 n. 270 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica
b) esperienza almeno triennale nella crescita di film sottili e multistrati epitassiali e nella tecnologia da ultra-alto-vuoto;
ovvero possesso del titolo di Dottore di Ricerca o PhD attinente all’esperienza richiesta;
Saranno considerati come elementi premianti esperienze pregresse nell’ambito della fotoemissione, della diffrazione e/o della microscopia a scansione.
c) conoscenza della lingua inglese.
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Laurea in Fisica, o in Ingegneria Elettronica, o in Ingegneria dei Materiali, o in Ingegneria Fisica, o in Scienze dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente alla riforma di cui al D.M. 3 novembre 1999n. 509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
oppure
Laurea specialistica in 20/S Fisica, o in 32/S Ingegneria Elettronica, o in 61/S Ingegneria dei Materiali, o in 20/S 50/S Ingegneria Fisica, o in 61/S Scienza dei
Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 3 novembre 1999 n.509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
oppure
Laurea magistrale LM-17 Fisica, o in LM-29 Ingegneria Elettronica, o in LM-53 Ingegneria dei Materiali, o in LM-17 LM44 Ingegneria Fisica, o in LM-53 Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 22 ottobre 2004 n. 270 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica
• esperienza almeno triennale nella nella crescita di film sottili e multistrati epitassiali di ossidi e nella tecnologia da ultra-alto-vuoto;
ovvero possesso del titolo di Dottore di Ricerca o PhD attinente all’esperienza richiesta;
Saranno considerati come elementi premianti esperienze pregresse nell’ambito della fotoemissione, della diffrazione e/o della microscopia a scansione.
c) conoscenza della lingua inglese.
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Laurea in Fisica, o in Ingegneria Elettronica, o in Ingegneria dei Materiali, o in Ingegneria Fisica, o in Scienze dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, conseguita secondo la normativa in vigore anteriormente alla riforma di cui al D.M. 3 novembre 1999n. 509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
Laurea specialistica in 20/S Fisica, o in 32/S Ingegneria Elettronica, o in 61/S Ingegneria dei Materiali, o in 20/S 50/S Ingegneria Fisica, o in 61/S Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 3 novembre 1999 n.509 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica e tecnologica.
Laurea magistrale LM-17 Fisica, o in LM-29 Ingegneria Elettronica, o in LM-53 Ingegneria dei Materiali, o in LM-17 LM44 Ingegneria Fisica, o in LM-53 Scienza dei Materiali o in discipline affini e coerenti con la tematica del bando, di cui al D.M. 22 ottobre 2004 n. 270 del Ministero dell’Universita e della Ricerca scientifica
esperienza almeno triennale nella caratterizzazione di campioni mediante misure di trasporto anche in campo magnetico;
ovvero possesso del titolo di Dottore di Ricerca o PhD attinente all’esperienza richiesta;
c) conoscenza della lingua inglese.
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